2025-09-21 00:29:38
英飛凌CoolSiC?系列SiC肖特基二極管模塊是第三代半導體的技術***,具有零反向恢復電荷(Qrr)、正溫度系數和超高結溫(175℃)等優勢。其獨特的溝槽柵結構使1200V模塊的比導通電阻低至2.5mΩ·cm?,開關損耗較硅基模塊降低70%。在光伏逆變器應用中,實測數據顯示,采用CoolSiC?模塊的系統效率提升1.5個百分點,年發電量增加約2000kWh。此外,該模塊通過了嚴苛的1000次-55℃~175℃溫度循環測試,可靠性遠超行業標準,成為新能源和工業高功率應用的**產品。
二極管伏安特性
二極管具有單向導電性,二極管的伏安特性曲線如圖2所示 。二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓,當電壓值較小時,電流極小;當電壓超過0.6V時,電流開始按指數規律增大,通常稱此為二極管的開啟電壓;當電壓達到約0.7V時,二極管處于完全導通狀態,通常稱此電壓為二極管的導通電壓,用符號UD表示。
對于鍺二極管,開啟電壓為0.2V,導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓,當電壓值較小時,電流極小,其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時,電流開始急劇增大,稱之為反向擊穿,稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓,用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大,從幾十伏到幾千伏。