大家都知道，半導體材料屬于我們國家卡脖子的產品，不是我們造不出來，而是我們起步太晚，不過我們從沒停下腳步，正在大跨步的前進。

        6月17日午間，外媒突然傳出消息，中國將加強對美國的芯片競爭，支持芯片研發和制造項目，包括擬定一系列相關金融和政策扶持措施，幫助國內芯片制造商。據報道，該計劃已預留約1萬億美元的政府資金，其中一部分將由中央和地方政府共同投資一系列第三代芯片項目，項目內容還包括發展中國大陸本土芯片設計軟件和極紫外光(EUV)光刻機。盡管目前還沒有得到官方證實，但是資本市場已經開始反應，受消息刺激，當天半導體指數大漲6.9%，作為本次政策的核心，第三代半導體受到普遍關注。

　　技術突破的新路徑

　　第三代半導體中的“代”指的是半導體襯底材料的變化，并非指某一代更優。，我們粗略介紹過半導體的產業鏈，主要包括IC設計、晶圓制造及加工、封裝及測試環節，如果我們再向上游延伸，那么還可以加上襯底和外延環節，其中襯底就是芯片的底層材料。

　　第一代半導體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)半導體材料，興起于二十世紀五十年代，被廣泛的應用于消費電子、通信、光伏、軍事以及航空航天等多個領域。目前，硅材料依然占據絕對主導地位，大多數的半導體器件及集成電路產品還是使用硅晶圓來制造，硅器件占到了全球銷售的半導體產品的 95%以上。

　　第二代半導體材料是以砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)為主的化合物半導體，其主要被用于制作高頻、高速以及大功率電子器件，主要應用于衛星通訊、移動通訊以及光通訊等領域。

　　第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為化合物半導體。在高溫、高耐壓以及承受大電流等多個方面具備明顯的優勢，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，主要用于光電子器件、電力電子器件，和微波射頻器件。而對于在低功耗場景使用更廣泛的數字芯片來說，采用第三代半導體材料SiC和GaN不僅意義不大，還增加成本，所以數字芯片一直沿用一代半導體即硅基材料，同時，基于線寬縮小的技術迭代路線有望在2022年突破2nm，接近物理極限，而第三代半導體技術升級主要依靠新設計、新工藝和新材料的結合，是后摩爾時代半導體技術突破的新路徑。